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IBM y Samsung trabajan en un nuevo chip para que tu móvil tenga hasta una semana de batería

La corriente del nuevo modelo fluirá de arriba a abajo y no de lado a lado como se hace actualmente.
La corriente del nuevo modelo fluirá de arriba a abajo y no de lado a lado como se hace ahora.
IBM

IBM y Samsung están trabajando en un chip que supondrá un antes y un después en la durabilidad de las baterías de los dispositivos. El semiconductor parece ser que permitirá que los smartphones sean capaces de aguantar una semana sin necesidad de cargarse.

Según han informado las compañías que están detrás de este chip, su nuevo modelo de ‘Transistores de Efecto de Campo de Transporte Vertical’ (VTFET) es el predecesor de la tecnología que se usa actualmente ‘FinFET’. Con este cambio, se podrían fabricar semiconductores de mayor densidad de transistores que los de ahora.

En el diseño de IBM y Samsung, la corriente irá hacia arriba y hacia abajo a través de la pila de transistores en lugar del método tradicional en el que va de un lado a otro. Según cuentan, la nueva técnica es mucho más eficiente que la utilizada actualmente.

A pesar de que todavía quede mucho para que estos semiconductores estén disponibles en un consumo real, IBM y Samsung confían en su dispositivo. Las empresas aseguran que los chips VTFET serán capaces de ofrecer una “mejora 2 veces mayor en el rendimiento o una reducción del 85% en el uso de energía”.

No obstante, las ventajas de esta innovadora tecnología no se quedan tan solo en un mejor consumo de energía. Los semiconductores de IBM y Samsung también parecen ser una buena opción para la minería de criptomonedas, para los dispositivos de IoT (Internet de las Cosas) más potentes o naves espaciales.

A principios de este año, IBM ya enseñó su primer chip de 2 nanometros, que logra una acumulación de más transistores al aumentar la cantidad que se puede colocar en un semiconductor con FinFET. Con VTFET, la eficiencia sería todavía más superior.

Mientras de Samsung e IBM trabajan en este nuevo método, hay otras compañías que también tratan de conseguir un sistema más eficiente que el tradicional FinFET. Un ejemplo que puede considerarse un gran rival de VTFET es el diseño RibbonFET de Intel, que esperan lanzar a producción en 2025.

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