La posibilidad de desarrollar estos componentes fue formulada hace ya más de 35 años, en 1971, por un científico de la Universidad de Berkeley, pero por ahora nadie había logrado llevarla a la práctica.
Ahora Stanley Williams, físico de los laboratorios HP, publica en la revista Nature un modelo matemático que explica el funcionamiento de un prototipo de memorresitencia y su implementación física en un dispositivo real.
Estas memorias se podrían usar en lugar de las convencionales DRAM que tienen los actuales ordenadores, y cuyo contenido se pierde cuando desaparece la alimentación.




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