Un equipo de científicos ha diseñado un dispositivo que permitirá multiplicar la capacidad de almacenaje de información de las memorias de ordenador, explicó el codirector del trabajo y miembro del Instituto de Ciencia de Materiales de Barcelona, del CSIC, Josep Fontcuberta.
En este estudio, publicado en el último número de la revista Nature Materials, se ha demostrado que utilizando materiales multiferroicos, que presentan propiedades magnéticas y ferroeléctricas simultáneamente, se puede conseguir que cada chip contenga hasta cuatro combinaciones de este tipo, multiplicando su capacidad de almacenar información.
El investigador explicó que las memorias de ordenador con las que se trabaja en la actualidad utilizan materiales magnéticos, de modo que un chip almacena una única combinación: 0 ó 1.
Los cuatro "estados posibles" combinados entre sí que permite el nuevo dispositivo podrán utilizarse para "hacer dispositivos lógicos", lo que supone "un peldaño para la computación cuántica", específico Fontcuberta.
El dispositivo se puede controlar magnéticamente, tal y como se hace en las memorias magnéticas actuales, o con campo eléctrico.
El cambio tiene implicaciones importantes ya que usar un campo eléctrico en lugar de una corriente eléctrica para escribir la memoria, reducirá el consumo de potencia en la gestión de las memorias y al mismo tiempo incorporará más memorias por unidad de superficie, lo que se traduce en un aumento de densidad de memorias y por tanto, el almacenamiento de más información.
Sin embargo, antes de poder incluir estos dispositivos en computadoras será necesario descubrir materiales multiferroicos que mantengan sus propiedades a temperatura ambiente, puesto que los conocidos hasta el momento únicamente las adquieren por debajo 170 grados centígrados bajo cero.
"Ha sido un reto tecnológico fabricar materiales de esta naturaleza a escala nanométrica manteniendo sus propiedades", dijo Fontcuberta.
Este estudio, dirigido por Albert Fert y Josep Fontcuberta, es parte de la tesis doctoral de Martin Gajek y ha sido desarrollado en colaboración entre el Instituto de Ciencia de Materiales de Barcelona del Consejo Superior de Investigaciones Científicas y la Unidad de Investigación Mixta CNRS/Thales de París.
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